2025第九屆集微半導(dǎo)體大會(huì)于7月3日至5日在上海張江科學(xué)會(huì)堂盛大啟幕，大會(huì)以"智鏈未來(lái)·芯創(chuàng)無(wú)限"為主題，開(kāi)啟中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)協(xié)同發(fā)展的新篇章。同期舉辦的“集微半導(dǎo)體展”全方位呈現(xiàn)了全球半導(dǎo)體前沿產(chǎn)品創(chuàng)新成果與技術(shù)趨勢(shì)。作為國(guó)內(nèi)一體化良率提升解決方案領(lǐng)軍企業(yè)，東方晶源微電子 科技 （北京）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“東方晶源”）帶來(lái)旗下新一代電子束量檢測(cè)設(shè)備產(chǎn)品矩陣的最新信息，展現(xiàn)出面向先進(jìn)工藝的電子束量測(cè)檢測(cè)技術(shù)的硬核實(shí)力。值得關(guān)注的是，其全新研發(fā)的高能電子束設(shè)備（HV-SEM）已取得重大進(jìn)展，標(biāo)志著東方晶源在前道電子束量檢測(cè)設(shè)備四大核心領(lǐng)域已完成全面布局，持續(xù)夯實(shí)在國(guó)內(nèi)該賽道的領(lǐng)跑地位。

東方晶源旗下新一代電子束缺陷檢測(cè)設(shè)備（EBI）SEpA-i635產(chǎn)品相較于前代機(jī)型SEpA-i525應(yīng)用場(chǎng)景更廣，檢測(cè)能力和處理速度均獲顯著提升，綜合性能可對(duì)標(biāo)同類(lèi)型國(guó)外先進(jìn)機(jī)臺(tái)。在核心的電子光學(xué)系統(tǒng)上，SEpA-i635采用了東方晶源全新開(kāi)發(fā)的超大電流預(yù)充電功能（微安級(jí)）和大電流成像技術(shù)（百納安級(jí)），最大束流實(shí)現(xiàn)量級(jí)躍升，使得SEpA-i635可檢測(cè)到先進(jìn)存儲(chǔ)晶圓上復(fù)雜結(jié)構(gòu)的電性缺陷，檢測(cè)能力已成功通過(guò)產(chǎn)線(xiàn)驗(yàn)證。同時(shí)，通過(guò)對(duì)掃描控制系統(tǒng)、電子探測(cè)器，以及高速DPU系統(tǒng)在圖像數(shù)據(jù)處理和缺陷識(shí)別的全面升級(jí)，檢測(cè)速度較前代產(chǎn)品提升3倍以上。

電子束缺陷復(fù)檢設(shè)備（DR-SEM）方面，東方晶源新一代產(chǎn)品SEpA-r655的高分辨電子光學(xué)系統(tǒng)采用5通道電子成像技術(shù)(4 side detector+1 top detector)，不僅顯著提升缺陷立體成像效果，而且能表征材料襯度，可實(shí)現(xiàn)對(duì)表面和亞表面晶圓缺陷的高分辨率成像和深層信息檢測(cè)。電子光學(xué)系統(tǒng)優(yōu)化后，其高景深成像能力得到提升，可滿(mǎn)足高深寬比結(jié)構(gòu)檢測(cè)需求；大視場(chǎng)（毫米級(jí)）成像能力則滿(mǎn)足晶圓邊緣斜面成像分析需求。此外，SEpA-r655搭載DUV顯微模組，可提升設(shè)備無(wú)圖案晶圓檢測(cè)能力，并具備自動(dòng)缺陷元素成份分析能力等。全新硬件平臺(tái)支持新興化合物半導(dǎo)體檢測(cè)，能夠自適應(yīng)處理不同厚度的晶圓。同時(shí)，通過(guò)自動(dòng)對(duì)焦硬件模組迭代及軟件算法流程優(yōu)化，檢測(cè)速度較前代產(chǎn)品提升2倍以上。

正是基于SEpA-r655性能的全面提升，在本屆集微半導(dǎo)體大會(huì)的“第三屆集微半導(dǎo)體制造峰會(huì)”上，該產(chǎn)品斬獲峰會(huì)頒發(fā)的“產(chǎn)業(yè)鏈突破獎(jiǎng)”，產(chǎn)品力得到業(yè)界權(quán)威認(rèn)可。

關(guān)鍵尺寸量測(cè)設(shè)備（CD-SEM）新機(jī)型SEpA-c505則搭載全新高速傳片平臺(tái)，可滿(mǎn)足更高產(chǎn)能需求。設(shè)備集成全新自研的電子光學(xué)系統(tǒng)（EOS），成像分辨率和量測(cè)重復(fù)精度實(shí)現(xiàn)雙重突破，技術(shù)參數(shù)比肩12吋CD-SEM國(guó)際主流產(chǎn)品。同時(shí)，全新的軟件系統(tǒng)設(shè)計(jì)更符合用戶(hù)使用習(xí)慣，大大提高用戶(hù)友好性，并支持多種新類(lèi)型量測(cè)算法，可滿(mǎn)足先進(jìn)制程的更高階量測(cè)需求。

尤為值得關(guān)注的是，東方晶源在本次大會(huì)首次對(duì)外正式披露其新產(chǎn)品高能電子束設(shè)備（HV-SEM）的研發(fā)進(jìn)展。該設(shè)備預(yù)期具備穿透晶圓深層的“透視”成像能力，可精準(zhǔn)量測(cè)深孔、溝槽等結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸（HV CD）、均一性（CDU）及套刻精度（In-die SEM Overlay），技術(shù)覆蓋3D-NAND、DRAM及14nm及以下邏輯制程。其搭載的自研EOS具備40KeV以上著陸能量，達(dá)到同類(lèi)設(shè)備國(guó)際先進(jìn)水平。隨著HV-SEM設(shè)備研發(fā)取得重要進(jìn)展，東方晶源實(shí)現(xiàn)在前道電子束量測(cè)檢測(cè)四大核心領(lǐng)域的全面布局，技術(shù)壁壘與產(chǎn)品矩陣優(yōu)勢(shì)得以集中彰顯。作為國(guó)內(nèi)最早布局者之一，東方晶源也將繼續(xù)領(lǐng)跑?chē)?guó)內(nèi)電子束量測(cè)檢測(cè)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

在同期舉辦的“第三屆集微半導(dǎo)體制造峰會(huì)暨產(chǎn)業(yè)鏈突破獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮”上，東方晶源創(chuàng)新技術(shù)研究院院長(zhǎng)孫偉強(qiáng)博士還發(fā)表了《面向先進(jìn)工藝的電子束量測(cè)檢測(cè)技術(shù)》主題演講，全面系統(tǒng)闡釋了電子束量測(cè)檢測(cè)技術(shù)的演進(jìn)趨勢(shì)、在先進(jìn)工藝迭代中的重要價(jià)值，及其在半導(dǎo)體制造國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程中的戰(zhàn)略意義。

除硬件設(shè)備外，東方晶源持續(xù)深化技術(shù)生態(tài)布局，自主研發(fā)的計(jì)算光刻軟件（PanGen）、嚴(yán)格光刻仿真軟件（PanGen Sim）、良率管理軟件（YieldBook）等產(chǎn)品填補(bǔ)多項(xiàng)國(guó)內(nèi)空白。基于上述點(diǎn)工具打造的一體化良率優(yōu)化平臺(tái)（HPO），為芯片從設(shè)計(jì)到制造各環(huán)節(jié)提供系統(tǒng)化優(yōu)化解決方案，有力推動(dòng)我國(guó)集成電路制造產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

從電子束量測(cè)檢測(cè)到計(jì)算光刻軟件，從點(diǎn)工具到系統(tǒng)方案，東方晶源已逐步構(gòu)建起完整的良率提升技術(shù)生態(tài)。未來(lái)，東方晶源將持續(xù)加大研發(fā)投入，深耕核心技術(shù)攻關(guān)，助推中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)向價(jià)值鏈高端邁進(jìn)，并為我國(guó)在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局中的自主可控發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)能。